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一种低缺陷碲锌镉晶体的制备方法和装置
本发明公开了一种低缺陷碲锌镉晶体的制备方法和装置,该装置包括非等径的管式炉体、具有Cd分压容器的石英安瓿和pBN坩埚,所述非等径的管式炉体包括炉体外壳、不少于10段的加热温区以及加热温区之间的隔热板、炉膛上下两端的密封堵头和晶体生长支撑架,每个加热温区设有与电源连通的电极和电缆、温控开关及温度控制系统。该方法包括配料、合成、换管、装炉、晶体生长、降温、切片等步骤。本发明的装置能稳定、重复的进行碲锌镉单晶制备。利用该设备和方法已经制备出高质量、低缺陷的碲锌镉晶体,制备的碲锌镉片面积达到70mm×70mm;沉积相缺陷尺寸≤1μm,密度≤3000cm~(-2);腐蚀坑密度≤5×10~5cm~(-2)。
一种单掺铀铌酸锂晶体及其制备方法
本发明提供了一种单掺铀铌酸锂晶体及其制备方法。本发明的单掺铀铌酸锂晶体是以纯度为99.99wt%Li-2CO-3、99.99wt%Nb-2O-5及纯度≧99.99%的UO-2为原料,其中,UO-2的掺杂量为0.6~2.0mol%,[Li]和[Nb]的摩尔比为0.937。制备步骤为:首先称取各原料充分研磨混合后烧结;再将研磨烧结后的多晶粉料放入铂金坩埚中采用坩埚下降法生长铀掺杂铌酸锂晶体。本发明的单掺铀铌酸锂晶体与同成分的铌酸锂晶体相比较,单晶质量较高且易于生长、其光折变效应增强、灵敏度提高;本发明的掺铀铌酸锂晶体有望推动铌酸锂晶体材料在全色全息存储及全息显示等领域的应用,并具有很大的市场应用前景。
低浓度位错铸锭单晶缓冲式籽晶熔化控制方法
本发明公开了低浓度位错铸锭单晶缓冲式籽晶熔化控制方法,包括以下步骤:(1)在石英坩埚底部铺设籽晶;(2)使用第一热电偶和第二热电偶获取石英坩埚底部边角部位的温度信号,温度信号为坩埚底部边角部位的温度和温度变化率的数值;(3)根据获取到的所述温度信号,判断所述籽晶熔化的高度;当所述温度信号出现突然上升的突变点时,表示籽晶熔化至设定高度,此时控制热场和工艺,进入长晶阶段;本发明将热电偶安装在坩埚底部边角部位,避开了侧部加热器对温度信号的影响,监测结果更准确。